您現在所在位置：首頁 > 資訊中心 > 行業要聞
復旦大學馬宏平教授團隊Nat Commun發表：通過在Ga?O?與SiC之間構建共價鍵來提升界面熱導率
本研究通過設計中間層在 Ga2O3 與 SiC 間構建強共價鍵，實現了結構兼容性與高效聲子傳輸的雙重突破。
2025-12-04 11:47:10
鄭州大學Chin. Sci. Bull發表：基于Cs?CdCl?/β-Ga?O?異質結的自供電日盲紫外光電探測器研究
通過能帶分析發現，Cs2CdCl4 與 β-Ga2O3 形成 Ⅱ 型能帶排列的異質結, 其內建電場有效促進了載流子分離, 為自供電探測奠定了基礎。
2025-12-04 11:38:36
西電郝躍院士、馬曉華教授、鄭雪峰教授團隊：采用HfO?–ZrO?超晶格層研究β氧化鎵MFIS電容器界面特性與漏電機制
超晶格工程——特別是采用 SL5 架構——能夠同時實現高極化、抑制泄漏、減少界面陷阱以及卓越的耐久性和保持性，從而為開發可靠、高性能、常閉型 β-Ga2O3 功率電子器件開辟了充滿希望的途徑。
2025-12-04 11:30:25
南京大學葉建東教授團隊：MOCVD生長β氧化鎵 (001) 同質外延層中非故意Si摻雜的主導機制：競爭性表面吸附
本研究考察了 VI/III 摩爾比和生長速率對 (001) 取向 β-Ga2O3 UID 同質外延層中殘余 Si 雜質和凈施主濃度的影響
2025-12-04 11:17:03
天津理工大學趙金石教授團隊:低溫HVPE法MgO異質襯底β-Ga?O?薄膜制備及其日盲紫外成像探測器陣列應用研究
本研究采用鹵化物氣相外延（HVPE）技術，在 MgO（100）襯底上成功異質外延生長高質量 β-Ga2O3 薄膜，并基于該薄膜制備高靈敏度太陽盲紫外光電探測器（SBUVPD）及 5×4 陣列器件。
2025-12-04 11:09:21
Novel Crystal Technology 氧化鎵外延新產品推介
NCT特別推出一款小尺寸的氧化鎵厚膜外延片，該產品承襲大尺寸外延成熟工藝，采用 HVPE 技術生長，具備高純度、高均勻性優勢，厚度達 10 微米、尺寸為 10mm×12mm。
2025-11-27 14:32:05
